廣東可易亞半導體科技有限公司訂閱源 廣東可易亞半導體科技有限公司 Copyright ? 廣東可易亞半導體科技有限公司 zh-cn MOS管電路工作原理詳解,MOS管原理文章-KIA MOS管 2018-04-09 12:00:00 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些,但沒有辦法避免,后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,在驅動感性負載,這個二極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個的MOS管中存在,在集成電路芯片內部通常是沒有的。 快恢復二極管的作用 2016-11-02 11:39:41 通常用于較高頻率的整流和續流的產品。 用于電源模塊的輸入部份,頻率不高,不必用快恢復二極管,用普通二極管即可。 ? 相對二極管來說,加在其兩端的電壓由正向變到反向時,響應時間一般很短,而相反的由反向變正向時其時間相對較長, 深圳MOS管場效應管廠家 2016-10-27 05:39:03 KIA半導體專業研發生產MOS管場效應管廠家 MOS管場效應管的作用有哪些?以及它的應用領域 2016-10-26 03:52:34 KIA半導體場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電, ? ? ?也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、 ?教你如何正確選擇MOS管產品-KIA MOS管 2016-10-20 05:49:36 深圳市可易亞半導體專業研發、生產、銷售半導體電子元器件及IC。主營:MOSFET、場效應管、三端穩壓管、快恢復二極管、高、低壓mos管系類等產品銷售公司。 怎么選場效應管 2016-09-18 05:05:34 如何取舍好MOS管 第一步是決議采納N溝道還是P溝道MOS管。正在垂范的功率使用中,當一度MOS管接地,而負載聯接到支線電壓上時,該MOS管就構 成了高壓側電門。 場效應管工作原理 2016-10-22 05:16:29 場效應管引見篇 場效應結晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))職稱場效應管。由少數載流子參加導熱,也稱為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體機件。 韓國科學技術學院研發出一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體 2016-01-07 09:05:46 來自韓國科學技術學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology,KAIST)的團隊研發了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。 【MOS管參數】MOS管散熱 功率 電流參數-KIA MOS管 2022-09-30 02:44:30 MOS管有如下參數: Operating Junction :Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current(Rjc):I(T=Tc)。 Power Dissipation(Rjc):P(T=Tc)。 THERMAL RESISTANCE:Rjc 。 Drain?to?Source On Resistance:RDS(on) 【收藏】開關電源的損耗改善方法圖文-KIA MOS管 2022-09-30 02:22:32 mos損耗包括:導通損耗,開關損耗,驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。改善辦法:降低開關頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負載的情況下芯片進入間歇式振蕩) PMOS、NMOS的電流方向以及工作區分析-KIA MOS管 2022-09-30 11:06:18 對于NMOS,其溝道中的載流子為電子;對于PMOS,其溝道的載流子為空穴,這就造成了二者電流方向的必然不同。 過驅動電壓對電路失配有影響嗎?詳解-KIA MOS管 2022-09-29 04:45:38 負載電阻失配與晶體管尺寸失配對失調電壓的影響隨著靜態工作點過驅動電壓增大而增大;閾值電壓失配直接折合到輸入。 關于過驅動電壓Veff/Vod的分析-KIA MOS管 2022-09-29 03:55:22 Veff=VGS-VTH,表示過驅動電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值,會隨VGS電壓變化而變化,也會受VTH的影響(體效應),其實是我們設計過程中可能會經常出現的一個名詞,經常會設計一個比較固定的過驅動電壓。 【電路設計】低電壓控制高電壓分析-KIA MOS管 2022-09-29 03:37:35 CON_IN輸入引腳是低電壓控制芯片的控制信號,必須能是pnp三極管導通。VCC是低電壓通常會是5V或者是12V,1n4007起到保護作用避免有反向電壓出現時繼電器閉合,電路很簡單。 電壓檢測電路:24V低壓檢測電路分享-KIA MOS管 2022-09-28 04:36:19 當電壓采樣速率低和要求低時,左邊電路圖即可滿足;當采樣速率和精度要求比較高時,采用右邊電路。 圖文分享輸出電壓的欠壓保護電路設計-KIA MOS管 2022-09-28 02:48:08 板卡供電電源為DC_12V,DC_12V經MP2307降壓到5V,給板卡其他功能電路供電。同時板卡上有一超級電容SCB作為備用電源,當DC_12V突然掉電時,可繼續由SCB供電,保證數據不丟失。 【常用電路】電池包電壓檢測電路圖-KIA MOS管 2022-09-28 11:52:44 當我們不檢測電池包電壓時,我們希望電池包的電消耗很慢。所以,我們讓對應單片機 IO 口輸出低電平時,此時NMOS管不能導通,表現為一個很大的電阻,最大程度減少電池包電量的損耗。 運放電流檢測電路-高端檢測、低端檢測電路-KIA MOS管 2022-09-27 04:55:03 此處是低端電流取樣檢測,根據運放的虛短和虛短的原則,V-=V+;有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式:VOUT=V+*(R+R1)/R1. 然后我們算V+=mos流過電阻電流*R2 ,整理公式:mos流過電流電阻電流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。 電壓 電流采樣電路、放大倍數計算-KIA MOS管 2022-09-27 04:22:46 假設上圖中Vcc為48V,R1 = 47K,R2 = 1K。則根據電阻分壓,Vi = 48 * (1/48)=1V。因為虛短:V+ = V-。 (式1) 【收藏】MOS管電流采樣保護電路圖-KIA MOS管 2022-09-27 03:39:27 KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業,竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴; 基于NMOS的雙向電平轉換電路實例分享-KIA MOS管 2022-09-26 05:31:06 S1端輸出低電平,MOS管導通,S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平,MOS管截至,S2端輸出高電平。 S1端輸出高阻,MOS管截至,S2端輸出高電平 。 電路分享:三電源切換電路、雙電源切換電路-KIA MOS管 2022-09-26 05:10:00 1、Q1、Q2為NMOS,Q3、Q4和Q5為PMOS管,D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池,BAT2的容量比BAT1大,VIN_5V為外部電源,VOUT為輸出,給系統供電。 3、VOUT會從優先級高的電源取電,優先用外部電源,其次容量大的電池,最后才是容量較小的電池,優先級排序:VIN_5V > BAT2 > BAT1。 【電路設計】多節鋰電池串、并聯轉換電路圖-KIA MOS管 2022-09-26 04:24:59 3節18650鋰電池,使用一個1開4聯開關。充電時把開關撥到上面使用并聯,用TP4056降壓充電芯片,使用一般的手機充電器即可充電。充滿電壓為4.2V。放電時把開關撥到下面使用串聯,這樣放電電壓能有3.7*4=11.1V。 電動工具、鋰電保護板推薦MOS管 KCX2704A:40V 150A-KIA MOS管 2022-09-23 02:37:32 KIA MOS管-KCX2704A:40V 150A KCX2704A是由國內專注研發的優質MOS管廠家生產。KCX2704A是一款SGT工藝產品,是使用LVMOS技術生產的N溝道增強型功率MOSFET。改進的工藝和單元結構特別定制,以最小化導通電阻,提供優越的開關性能。該設備廣泛用于UPS和逆變器系統的電源管理等。 利用MOS管實現主副電源自動切換電路分享-KIA MOS管 2022-09-23 11:16:32 如果主副輸入電壓相等,同時要求輸出也是同樣的電壓,不能有太大的壓降,怎么設計? 這個電路巧妙的利用了MOS管導通的時候低Rds的特性,相比二極管的方式,在成本控制較低的情況下,極大的提高了效率。 分析MOS管導通條件:過程、壓降、提高效率-KIA MOS管 2022-09-23 10:41:38 導通時序可分為tot1、t1t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段,這四個時間段有不同的等效電路。 1)[t0-t1]:C GS1 開始充電,柵極電壓還沒有到達V GS(th),導電溝道沒有形成,MOSFET仍處于關閉狀態。 圖文分享增強型P溝道MOS管的開關條件-KIA MOS管 2022-09-22 05:35:06 P溝道mos管作為開關,柵源的閥值為-0.4V,當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通,如果S為2.8V,G為1.8V,那么GS=-1V,mos管導通,D為2.8V 分析MOS管開關對輸入端電源的影響-KIA MOS管 2022-09-22 04:42:09 在使用圖2做電源開關時,檢測電源的波形發現,在開關導通的過程中對電源的輸入端有一個電源下拉的現象。其使用環境為,輸入電壓為DC5V,輸出DC5V,開關控制為LVTTL電平(3.3V)。其檢測的情況如下所示。 【電路設計】MOS管開關電路的經典應用-KIA MOS管 2022-09-22 03:26:13 在MOS管的柵極加上電壓時,當柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時,MOS管即可導通(不能大太多,否則會燒毀)。當源極電壓確定后,我們可以通過控制柵極電壓實現MOS管的導通與截止,這樣也就實現了MOS管漏極或者柵極負載的開與關。 MOS管做電源開關的經驗分享-KIA MOS管 2022-09-21 04:30:15 我們知道采用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0~0.3V,這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V,某些1.5V的電源變成1.2V,這會導致由此供電的芯片損壞。 【電子電路】TTL反相器特性分享-KIA MOS管 2022-09-21 04:10:18 TTL反相器是TTL電路的基本環節。TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結構均采用半導體三極管,所以稱晶體管—晶體管邏輯門電路,簡稱TTL電路。 【數字電路】反相器基礎知識圖文-KIA MOS管 2022-09-21 03:02:59 反向器由NMOS和PMOS組成,柵端(G)相連作為輸入端,漏斷相連作為輸出端,NMOS的源端接地,PMOS的源端接電源VDD. 詳解電路設計為什么要加上、下拉電阻及作用-KIA MOS管 2022-09-20 04:55:59 提高電路穩定性,避免引起誤動作。圖1中的按鍵如果不通過電阻上拉到高電平,那么在上電瞬間可能就發生誤動作,因為在上電瞬間單片機的引腳電平是不確定的,上拉電阻R12的存在保證了其引腳處于高電平狀態,而不會發生誤動作。 【邏輯電路】CMOS門電路圖文分享-KIA MOS管 2022-09-20 04:34:07 電平較低的一端被認為是源極。襯底和地相連。 晶體管狀態由Vg控制。 Vg為低電平--源極和漏極之間無連接--晶體管斷開--開關斷開 Vg為高電平--源極和漏極之間相連接--晶體管導通--開關閉合 數字電路:三極管與門、或門和非門實例操作-KIA MOS管 2022-09-20 03:52:13 分析:當輸入1為高電平+5V,輸入2也為高電平+5V時,Q11基極通過R24接到+5V,發射極接地,形成回路,Q11導通,Q9發射極接+5V,基極通過R19以及導通的Q11接地,形成回路,從而Q9導通,導通后Q9的發射極和集電極壓降為0.3V,則輸出點電壓為+4.7V,即為數字量1; 單相MOS全橋逆變電路-直流電機MOS驅動電路-KIA MOS管 2022-09-19 04:44:15 很多電路中,MOS管柵源兩極的并聯電阻,主要是為了放電,因為MOS管內部類似于一個電容,如果PWM信號 Dout沒有下拉功能,MOS導通后就會一直處于導通狀態,這里并聯一個電阻后,當Dout變成低電位時,可以把MOS管結電容的電放掉!如果信號有下拉功能,可以取消此電阻。 全橋MOS IGBT電路搭建-后端全橋電路-KIA MOS管 2022-09-19 03:38:39 逆變電路(Inverter Circuit)是與整流電路(Rectifier)相對應,把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路可用于構成各種交流電源,在工業中得到廣泛應用。為了提高所設計的激勵電源輸出功率和工作頻率,逆變電路采用全橋逆的方式,相對于單管和半橋逆變電路,全橋逆變的輸出功率更高、開關損耗更小、可接納的控制方式更多。 H橋控制電機|H橋電機正反轉換控制電路-KIA MOS管 2022-09-19 03:19:27 所謂的H橋電路就是控制電機正反轉的。下圖①就是一種簡單的H橋電路,它由2個P型場效應管Q1、Q2與2個N型場效應管Q3、Q4組成,所以它叫P一MOS管H橋。 變頻器怎么給電機調速?調速方法詳解-KIA MOS管 2022-09-16 12:01:22 針對單相輸入,3相220v輸出的小型變頻器,連接的是小功率電機,先把電機改成三角形接法,再接入變頻器的的uvw端子,然后接啟動開關。 【電路收藏】直流電機調速電路圖-KIA MOS管 2022-09-16 11:38:26 上圖中,合上電源開關 QS ,按下 SB2 低速起動按鈕,接觸器 KM1 線圈得電并自鎖, KM1 的主觸點閉合,電動機 M 的繞組連接成△形并以低速運轉。由于 SB2 的動斷觸點斷開,時間繼電器線圈 KT 不得電。 無刷直流電機矢量控制技術:單電阻采樣-KIA MOS管 2022-09-16 11:24:49 單電阻采樣原理如圖1中所示。在DC-AC變流器的地線上串聯分流電阻,電阻電壓信號用運算放大器放大之后輸入到MCU的AD引腳,實現電流信號采樣。 BLDC無刷直流電機驅動控制原理圖文-KIA MOS管 2022-09-15 05:09:56 三相BLDC的換向示意圖 如圖,先A導通(A上方輸入電流),再C-導通,在B導通,在(A上方輸出電流)基本上同步電機都是這樣驅動的。 【圖文分享】PWM控制電機 PWM調制-KIA MOS管 2022-09-15 04:42:42 (1)雙極模式,即電樞電壓極性是正負交替的, 優點:能正反轉運行,啟動快,調速精度高,動態性能好,調速靜差小,調速范圍大,能加速,減速,剎車,倒轉,能在負載超過設定速度時,提供反向力矩,能克服電機軸承的靜態摩擦力,產生非常低的轉速。 直流電機驅動方式:H橋驅動、MOS管驅動-KIA MOS管 2022-09-15 02:54:51 4個三極管和一個電機。要使電機運轉,必須導通對角線上的一對三極管。根據不同三極管對的導通情況,電流可能會從左至右或從右至左流過電機,從而控制電機的轉向。要使電機運轉,必須使對角線上的一對三極管導通。 H橋電路MOS管串聯二極管作用分析-KIA MOS管 2022-09-14 04:05:57 因為MOS管的體二極管速度太慢,有反向直通,所以采用一個二極管串聯在外面,外面再整體并聯一個。 MOS管體二極管的應用:防反接、電源切換電路-KIA MOS管 2022-09-14 03:40:55 1. D接供電正,S接供電負,電路通電瞬間MOS管是關閉狀態,但是由于體二極管的存在,D->S是有電流通過的,很快S電位升高,MOS管GS產生了負電壓,進而MOS管導通,導通壓降 Vds = 導通內阻 * 電流,一般遠小于二極管壓降。 圖文詳解MOS管電流能反方向流嗎?-KIA MOS管 2022-09-14 02:50:03 MOS管導通電流能否反著流?D到S,S到D方向隨意?在學習MOS管的時候,一般都是從NMOS開始,電流的方向都是從D到S的。 MOS管耐壓特性、柵極電荷的影響分析-KIA MOS管 2022-09-13 04:46:12 MOS管的耐壓對導通電阻的影響:MOS管的耐壓水平由芯片的電阻率和厚度決定,而MOS管是多數載流子導電器件,芯片電阻率直接影響器件的導通電阻。 MOS管的檢測方法及更換MOS管方法-KIA MOS管 2022-09-13 03:54:34 把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D,此時表針指示應該為無窮大,如圖所示。如果有歐姆指數,說明被測管有漏電現象,此管不能用。 詳解MOS管中的體二極管的妙用-KIA MOS管 2022-09-13 03:02:07 PMOS管做開關用,S極作電源輸入,D極作輸出,當Vsg大于閾值電壓,MOS管導通,一般MOS管的導通內阻都很小,毫歐級別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏級別,此時體二極管是截至狀態的。 MOSFET在MATLAB中的連接使用方法-KIA MOS管 2022-09-09 03:10:53 圖中,MOSFET管充當開關時,將S,D端連入回路中;g,m端連接控制器或者信號發生器,通過輸入信號來控制MOSFET的閉合和斷開。 詳細分析直流有刷電機并聯小電容作用-KIA MOS管 2022-09-09 11:45:21 當前時刻,電刷正極和換向器B1接觸,電刷負極和換向器B2相連,同時MOS1和MOS4導通,MOS3和MOS2關閉,則線圈L1中有電流流過,如圖2所示。此時電機開始轉動,換向器也跟著轉動。 【圖文分享】電源和地之間并聯電容的作用-KIA MOS管 2022-09-09 11:18:33 儲能:電路的耗電有時候大,有時候小,當耗電突然增大的時候如果沒有電容,電源電壓會被拉低,產生噪聲,振鈴,嚴重會導致CPU重啟,這時候大容量的電容可以暫時把儲存的電能釋放出來,穩定電源電壓,就像河流和水庫的關系。 【圖文詳解】MOS管GS兩端并聯阻容-KIA MOS管 2022-09-08 05:25:46 如圖所示MOS管驅動電路,定性分析可知,當MOS管關斷時,MOS管兩端應力為Vds,此時Vds向Cgd和Cgs充電,可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。 MOS管強反型與弱反型、速度飽和區轉換-KIA MOS管 2022-09-08 05:08:50 弱反型區,溝道消失,流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特性而不是平方律 弱反型區適合低功耗電路,因為電流很小,但問題在于較大的噪聲以及低速(用增益帶寬積表征) MOS管模型-MOS管在強反型區作放大器-KIA MOS管 2022-09-08 04:56:03 對于NMOS,當襯源PN結正偏時,會帶來閂鎖效應(Latch-up),所以VBS<0,背柵效應會導致閾值電壓變大,電流IDS減小。 分析恒流源做電子負載、恒流電子負載電路圖-KIA MOS管 2022-09-07 04:54:09 前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡,此時,同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓,R1采樣電阻上流過的恒定電流,實現了自動控制恒流功能。 【集成電路】MOS管的亞閾值區-KIA MOS管 2022-09-07 03:51:15 Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時,region變為2,為了保證PVT下電路仍處于飽和區,需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。 【詳細分析】MOS管vd、vdsat和region的關系-KIA MOS管 2022-09-07 03:00:59 MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd,可設置Vg為3.3V,Vd為變量,設置變量Vd值為3.3V,dc仿真并對design variable ——Vd進行掃描,掃描范圍選擇0-3.3V,掃描方式選擇線性,【automatic方式不準確,盡量避免使用】,step size可選擇0.01,這樣仿真設置就完成了。 【圖文】反激電源變壓器計算方法、電路設計-KIA MOS管 2022-09-06 04:09:45 上圖可見,DCM和CCM是固定頻率的,CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。分析上圖,可知CCM模式下,電流不會趨于0。DCM模式下,電流會趨于0,并且有一定的死區時間。CRM模式下,電流剛剛到達零時,就會導通開關管。 BUCK斬波電路圖、BUCK斬波電路工作原理-KIA MOS管 2022-09-06 03:13:04 圖中V為全控型器件,選用IGBT;D為續流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知,當V處于通態時,電源Ui向負載供電,UD=Ui。當V處于斷態時,負載電流經二極管D續流,電壓UD近似為零,至一個周期T結束,再驅動V導通,重復上一周期的過程。 Buck降壓開關電源的功率損耗計算分享-KIA MOS管 2022-09-06 02:52:30 降壓轉換器的傳導損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導電流時產生的壓降。為了簡化討論,在下面的傳導損耗計算中忽略電感電流的交流紋波。如果MOSFET用作功率晶體管,MOSFET的傳導損耗等于IO2 ? RDS(ON) ? D,其中RDS(ON)是MOSFET Q1的導通電阻。 詳解反激電源MOS管D-S電壓波形產生原因-KIA MOS管 2022-09-05 04:34:04 開關電源產生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振,即:在MOS管開通、關斷切換的過程中,寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電,充電結束后寄生電容又釋放電能給寄生電感儲能,如此循環往復。 【圖文】恒流源電路在電源模塊中的應用-KIA MOS管 2022-09-05 02:57:44 在模塊電源中,小功率電源的短路保護一般不外接短路保護電路,這種模塊的特點是功率小,體積小,成本低;適合當前競爭激烈的市場;然而它們本身存在一個致命的特點,短路保護功能和啟動能力存在矛盾,啟動能力強,短路保護就會變差;短路保護變強,啟動能力就會變弱。特別是在需要超寬電壓范圍輸入的情況下,啟動能力跟短路能力更不好兼容。 幾種常見簡易的恒流源電路分享-KIA MOS管 2022-09-05 02:37:01 由兩個同型號的三極管,根據三極管Vbe電壓相對穩定,以及三極管的基極電流相對集電極電流較小的特點,組成一個電流相對恒定的恒流源,電流Io=Vbe/R1;這個恒流源沒有用到特殊器件,兩個三極管和兩個電阻組成,成本低,電流Io可調;缺點是Vbe的大小會隨電流及溫度的變化而變化,電流大Vbe大,溫度低Vbe大,所以不適合用在精度要求高的地方。 3401MOS管 3401參數-30V-4.0A代換 SOT-23 優質原廠-KIA MOS管 2022-09-02 02:57:27 KIA3401采用先進的溝槽技術,提供優良的RDS(on),低柵極電荷工作電壓低至2.5V。該器件適用于作為負載開關或PWM應用程序。標準產品KIA3401是無鉛(符合ROHS和索尼259規格)。KIA3401為綠色環保產品。 【詳細圖文】開關電源拓撲電路工作的細節-KIA MOS管 2022-09-02 02:37:42 電感電流連續。Vout 是其輸入電壓 (V1)的均值。輸出電壓為輸入電壓乘以開關的負荷比 (D)。接通時,電感電流從電池流出。開關斷開時電流流過二極管。忽略開關和電感中的損耗, D 與負載電流無關。 圖文分享幾個開關電源拓撲結構-KIA MOS管 2022-09-02 02:16:19 把輸入降至一個較低的電壓??赡苁亲詈唵蔚碾娐?。電感 / 電容濾波器濾平開關后的方波。輸出總是小于或等于輸入。輸入電流不連續 (斬波)。輸出電流平滑。 開關電源穩定性設計方法圖文詳解-KIA MOS管 2022-09-01 04:51:29 根據閉環系統的理論、數學及電路模型進行分析(計算機仿真)。實際上進行總體分析時,要求所有的參數要精確地等于規定值是不大可能的,尤其是電感值,在整個電流變化范圍內,電感值不可能保持常數。同樣,能改變系統線性工作的較大瞬態響應也是很難預料到的。 制作開關電源需要掌握哪些知識?必看!-KIA MOS管 2022-09-01 04:28:41 如上圖,電源大的分類主要有線性電源和開關電源。從簡化的圖形上看,(a)線性電源隨著調整管的大小而輸出呈現一個線性的變化,(b)中可以看出開關電源的工作原理。為什么叫開關電源?簡單的說開關電源是利用現代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩定輸出電壓的一種電源。 【收藏】常用的電源電路圖及原理分享-KIA MOS管 2022-09-01 03:30:20 工作原理:經整流濾波后直流電壓由R1提供給調整 管的基極,使調整管導通,在V1導通時電壓經過RP、R2使V2導通,接著V3也導通,這時V1、V2 、 V3的發射極和集電極電壓不再變化(其作用完全與穩壓管一樣)。調節RP,可得到平穩的輸 出電壓,R1、RP、R2與R3比值決定本電路輸出的電壓值。 推挽(push-pull)、開集(OC)、開漏(OD)區別-KIA MOS管 2022-08-31 04:47:45 OC門是針對三極管來說,OD門是針對MOS管來說?,F在MOS管用普遍,而且性能要比晶體管要好,所以很多開漏輸出電路,和上面講的推挽輸出電路都用MOS管實現。由于使用MOS管的情況較多,很多時候就用"開漏輸出"這個詞代替了開漏輸出和開集輸出。 【推挽電路】三極管推挽電路 MOS管推挽電路-KIA MOS管 2022-08-31 03:57:03 上N上N型推挽電路:如下圖所示。Vout幾乎等于VCC(這種方式是軌對軌方式(rail-rail)) 工作特性:一般工作在頻率比較高,功率比較大的電路。 【電路收藏】12V LED恒流源驅動電路圖-KIA MOS管 2022-08-31 02:49:05 電路由 MC34063、電流檢測電阻 Rse、輸入旁路電容器 Ci、續流二極管 VD、電感 L、輸出濾波電容器 C。輸出電壓檢測電阻 R1 和 R2 以及被驅動的 HBLED 構成。其中,MC34063 與 VD、L、C。構成降壓型變換器。 MOS管2301 P溝道場效應管 -2.8A-20V規格書 原廠報價-KIA MOS管 2022-08-30 04:16:22 MOS管2301 -2.8A-20V產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A 【電路分享】鏡像恒流源電路圖文分析-KIA MOS管 2022-08-30 03:49:13 如圖1所示為鏡像恒流源電路,它由兩只特性完全相同的管子VT0和VT1構成,由于VT0管的c、b極連接,因此UCE0=UBE0,即VT0處于放大狀態,集電極電流IC0=β0*IB0。另外,管子VT0和VT1的b-e分別連接,所以它們的基極電流IB0=IB1=IB。 【圖文詳解】如何“實現”外置和內置電源切換-KIA MOS管 2022-08-30 03:02:14 1、當插著USB電源時,由外置的USB電源供電,即VBUS對VOUT供電。 2、當拔掉USB電源時,切換為由內置的鋰電池供電,即VBAT對VOUT供電。 3、當重新插入USB電源時,切換為由外置的USB電源供電,即VBUS對VOUT供電。 推挽電路信號流向圖文解析-KIA MOS管 2022-08-29 05:25:09 該圖中左邊的便是推挽輸出模式,其中比較器輸出高電平時下面的PNP三極管截止,而上面NPN三極管導通,輸出電平VS+;當比較器輸出低電平時則恰恰相反,PNP三極管導通,輸出和地相連,為低電平。右邊的則可以理解為開漏輸出形式,需要接上拉。 推挽電路-上N下P以及下N上P原理分析-KIA MOS管 2022-08-29 04:15:49 由上圖可知道,其輸出信號與輸入信號的相位是相同的。即輸入為高電平,輸出也是高電平。 但是根據N管的工作特點,其輸出電壓幅值會比輸入信號的幅值低0.7V。所以上N下P型的輸出幅值會受到輸入信號的限制。 圖文分享LED燈調光模擬電路設計及原理-KIA MOS管 2022-08-29 03:26:25 高亮度白色發光二極管(LED)是現在熱門照明光源,因為這種發光器件比其他所有光源都更節能。介紹一款自制的LED調光臺燈,它既不用專用IC,也不用單片機,僅用一片普通數字電路和少量分立元件就可以DIY一個用按鍵調光的臺燈。 圖文分享幾個12V延時關閉電路圖-KIA MOS管 2022-08-26 04:31:56 當電燈開關SW閉合時,白熾燈正常點亮。SW斷開后,延時熄燈電路開始工作,二極管和可控硅接入電路代替了開關的位置。由于二極管D2半波整流的作用,白熾燈在半波脈動直流下工作,亮度減半。 【電路分享】全橋式變壓器開關電源電路圖-KIA MOS管 2022-08-26 03:41:34 全橋式變壓器開關電源也屬于雙激式變壓器開關電源。它同時具有推挽式變壓器開關電源電壓利用率高,又具有半橋式變壓器開關電源耐壓高的特點。 圖文分享5種電平轉換方法匯總收藏-KIA MOS管 2022-08-26 02:49:04 1. 使用晶體管轉換電平 如下圖1,使用2個NPN三極管,將輸入信號電平VL和轉換為輸出電平VH,使用2個三極管的目的是將輸入和輸出信號同相,如果可以接受反相,使用一個三極管也可以。 【電路干貨】I2C雙向電平轉換電路設計-KIA MOS管 2022-08-25 04:53:09 通過使用雙向電平轉換器可以將電源電壓和邏輯電平不同的兩部分I2C 總線連接起來配置入下圖所示。左邊的低電壓部分有上拉電阻而且器件連接到3.3V 的電源電壓,右邊的高電平部分有上拉電阻器件連接到5V 電源電壓。兩部分的器件都有與邏輯輸入電平相關的電源電壓和開漏輸出配置的I/O。 MOS管電平轉換,1.8V-3.3V電路設計-KIA MOS管 2022-08-25 04:26:53 a. IO_1.8為高電平時,MOS關斷,此時IO_3.3為高電平 b. IO_1.8為低電平時,Vgs = 1.8V>Vgs(th), 此時MOS導通,IO_3.3被拉低,為低電平 c. IO_1.8為高阻態時,MOS關斷,IO_3.3為高電平 電路分享-運放的電壓比較器電路-KIA MOS管 2022-08-25 02:58:47 當輸入電壓大于參考電壓,OUT輸出高;當輸入電壓小于參考電壓,OUT輸出低。 【模擬電路】36V欠壓保護電路圖設計分享-KIA MOS管 2022-08-24 05:20:07 輸出電壓低于規定值時,反映了輸入直流電源、開關穩壓器內部或者輸出負載發生了異常。輸入直流電源電壓下降到規定值之下時,會導致開關穩壓器的輸出電壓跌落,輸入電流增大,既危及開關三極管,也危及輸入電源。因此,要設欠電壓保護。簡單的欠電壓保護如圖1所示。 鋰電池欠壓保護電路圖及原理分析-KIA MOS管 2022-08-24 04:20:51 由于閃光發光二極管的占空比很低,所以平均的電流損耗是1mA或者更低。當檢測電壓降低到12V時,NE555將會觸發發光二極管,使其發光。R1和R2的比值只有當發光二極管的觸發點電壓需要改變時才會改變。 欠壓保護電路設計圖文分享-KIA MOS管 2022-08-24 03:48:07 欠壓保護是指用電器在輸入電壓達不到工作電壓時,會切斷輸入電壓,有效保護用電器不因低電壓而反復起動導致損壞。當輸入電壓正常后,用電器自動恢復正常工作。 電路設計-幾種光電耦合電路圖文分享-KIA MOS管 2022-08-23 05:34:16 該電路系統的工作原理可以總結為:在這一可逆計數顯示電路中,所選擇的光耦器件為反射式光耦器件,紅外發光二極管和光敏三極管里35°夾角封裝為一體,其交點在距光耦合器5mm處。當該電路接通并進行工作時,紅外發光二極管發出的紅外光若被前方的物件遮擋,則紅外光反射回來并被光敏三極管所接收使光敏三極管導通。若光耦器件前方沒有物件,則光敏三極管處于截止狀態。 【模擬電路】幾個3.3V升壓12V電路圖設計-KIA MOS管 2022-08-23 04:04:31 此器件的高工作頻率可使電感器和電容器的數值和大小減小,使設計可封裝在小于110mm2的面積內。270μA低工作電流、8μA關閉電流和高達90%的效率都有助于延長電池使用壽命。LTC1872保證輸出電壓精度±2.5%。輸出出電壓只受外部元件性能的限制。為避免N-溝MOSFET工作在低于安全輸入電壓電平之下,該器件具有欠電壓鎖定特性。 電源濾波器電路圖設計分享收藏-KIA MOS管 2022-08-23 03:13:45 電源濾波器常用的濾波電路有無源濾波和有源濾波兩大類。無源濾波的主要形式有電容濾波、電感濾波和復式濾波(包括倒L型、LC濾波、LCπ型濾波和RCπ型濾波等)。有源濾波的主要形式是有源RC濾波,也被稱作電子濾波器。直流電中的脈動成分的大小用脈動系數S來表示,此值越大,則濾波器的濾波效果越差。 電路分享-典型窗口比較器電路圖-KIA MOS管 2022-08-22 05:16:49 圖為一典型的窗口比較器電路,電路由兩個集成運放組成,輸入電壓ui分別接到運放Al的同相輸入端和A2的反相輸入端,參考電壓UH和UL分別加在Al的反相輸入端和A2的同相輸入端。兩個集成運放的輸出端各通過一個二極管后并聯在一起,成為窗口比較器的輸出端。 值得收藏的幾種電壓比較器電路圖分享-KIA MOS管 2022-08-22 04:19:38 電壓比較器是對輸入信號進行鑒別與比較的電路,是組成非正弦波發生電路的基本單元電路電壓比較器可以看作是放大倍數接近“無窮大”的運算放大器。電壓比較器可以用作模擬電路和數字電路的接口,還可以用作波形產生和變換電路等。 【電路精選】1000W逆變器工作原理及電路圖-KIA MOS管 2022-08-22 03:05:32 額外的MOSFET可以并聯以獲得更高的功率。建議在電源線上安裝“保險絲”并始終連接“負載”,同時接通電源。保險絲額定電壓為32伏,每100瓦輸出應大約為10安培。電源引線必須足夠重,以處理此高電流消耗!適當的散熱器應該用在RFP50N06 Fets上。這些Fets的額定電流為50安培和60伏特??梢蕴鎿Q其他類型的MOSFET。 ?KIA超高壓MOSFET 1000-1500V,填補國內空白-KIA MOS管 2022-08-19 04:22:08 超高耐壓的器件主要應用場景為工業三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁,光伏逆變器等輔助電源。 國內專注研發優質MOS管廠家KIA半導體生產的超高壓MOSFET--KNX41100A可代換型號:東芝2SK1119, 艾賽斯IXFP4N100。 【電路精選】220V轉12V電源電路分享-KIA MOS管 2022-08-19 03:39:11 220V轉12V開關電源有很多種,有分立元件的,有集成電路的,集成電路又有好多種。開關電源除輸出的電壓不一樣,功率不一樣(輸出電流不一樣)外,原理基本上差不多,手機充電器、電磁爐、DVD、彩電、彩顯等都采用開關電源。 分析放大器電路中的直流回路設計-KIA MOS管 2022-08-19 02:54:44 圖 1 中,一個電容串接在一個運算放大器的同相(+)輸入端。這種交流耦合是隔離輸入電壓(VIN)中的直流電壓的一種簡單方法,在高增益應用中尤為有用。在增益較高時,即使是放大器輸入端的一個較小直流電壓,也會影響運放的動態范圍,甚至可能導致輸出飽和。 如何區分放大電路中的正負反饋?詳解-KIA MOS管 2022-08-18 04:53:39 正負反饋的判斷使用瞬時極性法。瞬時極性是一種假設的狀態,它假設在放大電路的輸入端引入一瞬時增加的信號。這個信號通過放大電路和反饋回路回到輸入端。反饋回來的信號如果使引入的信號增加則為正反饋,否則為負反饋。 【放大電路圖】場效應管輸入性測量放大電路圖-KIA MOS管 2022-08-18 03:20:52 場效應管輸入性測量放大電路圖 集成精密差動放大電路圖 懸置電橋差動放大電路圖 前置放大電路圖 国产吸奶水在线观看-yw.168国产在线-yw.168国产在线-国产出血视频在线观看